casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W400DB55ZE6F TR
Número de pieza del fabricante | M29W400DB55ZE6F TR |
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Número de parte futuro | FT-M29W400DB55ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DB55ZE6F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TFBGA (6x9) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55ZE6F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W400DB55ZE6F TR-FT |
M29F800DT70M6
Micron Technology Inc.
M29F800DT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800FB52M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel