casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29W320EB70N6E
Número de pieza del fabricante | M29W320EB70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M29W320EB70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W320EB70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W320EB70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29W320EB70N6E-FT |
MT29F2G08ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B TR
Micron Technology Inc.
M28W160CB100N6T TR
Micron Technology Inc.
M28W160CB70N6E
Micron Technology Inc.
M28W160CB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M28W160CB90N6
Micron Technology Inc.
M28W160CT70N6E
Micron Technology Inc.
M28W320CB90N6
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70N6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70N6F TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel