casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M28W160CB70N6E
Número de pieza del fabricante | M28W160CB70N6E |
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Número de parte futuro | FT-M28W160CB70N6E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M28W160CB70N6E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M28W160CB70N6E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M28W160CB70N6E-FT |
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel