casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E
Número de pieza del fabricante | MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 63-VFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 63-VFBGA (10.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G16ABBEAHC-AIT:E-FT |
MT41K128M16JT-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P
Micron Technology Inc.
MT40A1G16WBU-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation