casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M29F800DB55N6
Número de pieza del fabricante | M29F800DB55N6 |
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Número de parte futuro | FT-M29F800DB55N6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F800DB55N6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 55ns |
Tiempo de acceso | 55ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800DB55N6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M29F800DB55N6-FT |
MT29F2G08ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel