casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M27C512-12F1
Número de pieza del fabricante | M27C512-12F1 |
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Número de parte futuro | FT-M27C512-12F1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C512-12F1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 120ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP Frit Seal with Window |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C512-12F1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M27C512-12F1-FT |
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
XC4010XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C4N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
5CGTFD7C5U19I7N
Intel
5CGXBC7C7U19C8N
Intel
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
5SGXEA3H2F35I2N
Intel