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Número de pieza del fabricante | THGBMNG5D1LBAIL |
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Número de parte futuro | FT-THGBMNG5D1LBAIL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | e•MMC™ |
THGBMNG5D1LBAIL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND (MLC) |
Tamaño de la memoria | 4G (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | eMMC |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 153-WFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 153-WFBGA (11.5x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THGBMNG5D1LBAIL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | THGBMNG5D1LBAIL-FT |
W631GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB12I
Winbond Electronics
W631GG6KB12I TR
Winbond Electronics
W631GG6KB15I
Winbond Electronics
W631GG6KB15I TR
Winbond Electronics
W631GU6KB-12
Winbond Electronics
W631GU6KB-12 TR
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W631GU6KB-15
Winbond Electronics
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel