casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M27C256B-10F1
Número de pieza del fabricante | M27C256B-10F1 |
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Número de parte futuro | FT-M27C256B-10F1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C256B-10F1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP Frit Seal with Window |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C256B-10F1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M27C256B-10F1-FT |
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel