casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M27C160-100F1
Número de pieza del fabricante | M27C160-100F1 |
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Número de parte futuro | FT-M27C160-100F1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C160-100F1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - UV |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 100ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 42-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Paquete del dispositivo del proveedor | 42-CDIP Frit Seal with Window |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C160-100F1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M27C160-100F1-FT |
JR28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F032M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWLB TR
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
JR28F064M29EWTB TR
Micron Technology Inc.
JS28F00AM29EBHB TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel