casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / JR28F064M29EWTB TR
Número de pieza del fabricante | JR28F064M29EWTB TR |
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Número de parte futuro | FT-JR28F064M29EWTB TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
JR28F064M29EWTB TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JR28F064M29EWTB TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JR28F064M29EWTB TR-FT |
IS61NVP102418-200TQLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP102418-250B3I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-200B1I-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP25672-250B1I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel