casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C08-DRMN8TP/K
Número de pieza del fabricante | M24C08-DRMN8TP/K |
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Número de parte futuro | FT-M24C08-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
M24C08-DRMN8TP/K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 4ms |
Tiempo de acceso | 450ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C08-DRMN8TP/K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C08-DRMN8TP/K-FT |
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XCV150-4FG256C
Xilinx Inc.
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35U484C8
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
EP4SGX290KF40I3
Intel
A40MX04-FPLG84
Microsemi Corporation
10AX032E2F27E1HG
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel