casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / M24C04-RMN6TP
Número de pieza del fabricante | M24C04-RMN6TP |
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Número de parte futuro | FT-M24C04-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24C04-RMN6TP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 4Kb (512 x 8) |
Frecuencia de reloj | 400kHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 900ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C04-RMN6TP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | M24C04-RMN6TP-FT |
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XC4010XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C4N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
5CGTFD7C5U19I7N
Intel
5CGXBC7C7U19C8N
Intel
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
5SGXEA3H2F35I2N
Intel