casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / LQA30B150C
Número de pieza del fabricante | LQA30B150C |
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Número de parte futuro | FT-LQA30B150C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Qspeed™ |
LQA30B150C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 15A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 16.3ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500µA @ 150V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA30B150C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQA30B150C-FT |
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
BAS16UE6327HTSA1
Infineon Technologies
EPF10K20TC144-4
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC2V500-4FG456I
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC256-1N
Intel
10M50DCF672C8G
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
EPF10K50VRC240-3N
Intel