casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / LQA12B300C
Número de pieza del fabricante | LQA12B300C |
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Número de parte futuro | FT-LQA12B300C |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Qspeed™ |
LQA12B300C Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 300V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.9V @ 6A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 11.5ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 25µA @ 300V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA12B300C Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LQA12B300C-FT |
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
BAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel