casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / LND250K1-G
Número de pieza del fabricante | LND250K1-G |
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Número de parte futuro | FT-LND250K1-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LND250K1-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10pF @ 25V |
Característica FET | Depletion Mode |
Disipación de potencia (max) | 360mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 (TO-236AB) |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LND250K1-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LND250K1-G-FT |
PH9030AL,115
NXP USA Inc.
PH9030L,115
NXP USA Inc.
PH955L,115
Nexperia USA Inc.
PH9930L,115
NXP USA Inc.
PSMN010-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN010-80YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN011-30YL,115
NXP USA Inc.
PSMN011-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-25YLC,115
NXP USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel