casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / LL103B-GS18
Número de pieza del fabricante | LL103B-GS18 |
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Número de parte futuro | FT-LL103B-GS18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LL103B-GS18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 600mV @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 10ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL103B-GS18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LL103B-GS18-FT |
VS-20ETF06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF10FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETF12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS08FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS40-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54-02V-V-G-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS70-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS581-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel