casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS581-02V-V-G-08
Número de pieza del fabricante | BAS581-02V-V-G-08 |
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Número de parte futuro | FT-BAS581-02V-V-G-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS581-02V-V-G-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 40V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 370mV @ 1mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-523 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS581-02V-V-G-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS581-02V-V-G-08-FT |
VS-40EPS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel