casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LBM2016T8R2JV
Número de pieza del fabricante | LBM2016T8R2JV |
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Número de parte futuro | FT-LBM2016T8R2JV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, M Type |
LBM2016T8R2JV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 8.2µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 225mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.43 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 30MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T8R2JV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LBM2016T8R2JV-FT |
CB2016T220KV
Taiyo Yuden
CB2016T220M
Taiyo Yuden
CB2016T2R2MV
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CB2016T3R3M
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CB2016T4R7MV
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LFE2-6E-7T144C
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XC7A35T-1FT256I
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A54SX72A-2FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EFI672-2X
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5SGXEA7K2F40C2L
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5AGXBA3D4F27C4N
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EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4VLX40-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation