casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / CB2016T2R2MV
Número de pieza del fabricante | CB2016T2R2MV |
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Número de parte futuro | FT-CB2016T2R2MV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2016T2R2MV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 600mA |
Corriente - Saturación | 510mA |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 169 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 70MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2016T2R2MV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CB2016T2R2MV-FT |
LBC2518T221M
Taiyo Yuden
LBC2518T221MV
Taiyo Yuden
LBC2518T2R2M
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LBC2518T330K
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LBC2518T331KV
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel