casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LB2012T470M
Número de pieza del fabricante | LB2012T470M |
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Número de parte futuro | FT-LB2012T470M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB |
LB2012T470M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 47µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 60mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 3.7 Ohm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 11MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2012T470M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LB2012T470M-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
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