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Número de pieza del fabricante | LB2016T3R3M |
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Número de parte futuro | FT-LB2016T3R3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB |
LB2016T3R3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 3.3µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 285mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 200 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 55MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2016T3R3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LB2016T3R3M-FT |
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
5CEFA2M13C8N
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