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Número de pieza del fabricante | LB2012T2R2M |
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Número de parte futuro | FT-LB2012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB |
LB2012T2R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 260mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 230 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 80MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2012T2R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LB2012T2R2M-FT |
LBM2016T1R8JV
Taiyo Yuden
LBM2016T220J
Taiyo Yuden
LBM2016T220JV
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LBM2016T270JV
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LBM2016T390J
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LBM2016T390JV
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XC2S15-6TQ144C
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XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
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5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation