casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LBM2016T2R7JV
Número de pieza del fabricante | LBM2016T2R7JV |
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Número de parte futuro | FT-LBM2016T2R7JV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, M Type |
LBM2016T2R7JV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.7µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 310mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 767 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 55MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T2R7JV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LBM2016T2R7JV-FT |
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CKP20161R0M-T
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CKP20161R5M-T
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CKP20162R2M-T
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XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel