casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LAV35VB2R2K
Número de pieza del fabricante | LAV35VB2R2K |
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Número de parte futuro | FT-LAV35VB2R2K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VB2R2K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 670mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 240 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 47MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB2R2K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAV35VB2R2K-FT |
LAN02TAR22K
Taiyo Yuden
LAN02TAR27K
Taiyo Yuden
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel