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Número de pieza del fabricante | LAN02TAR82K |
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Número de parte futuro | FT-LAN02TAR82K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, N Type |
LAN02TAR82K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 520mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 290 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 270MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.094" Dia x 0.142" L (2.40mm x 3.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAN02TAR82K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAN02TAR82K-FT |
LAL04TB681K
Taiyo Yuden
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel