casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LAV35VB221J
Número de pieza del fabricante | LAV35VB221J |
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Número de parte futuro | FT-LAV35VB221J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VB221J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 220µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 120mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 7.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 796kHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 5MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 796kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.315" (8.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB221J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAV35VB221J-FT |
LAN02TAR12K
Taiyo Yuden
LAN02TAR15K
Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
LAN02TAR22K
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LAN02TAR56K
Taiyo Yuden
LAN02TAR68K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel