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Número de pieza del fabricante | LAN02TAR12K |
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Número de parte futuro | FT-LAN02TAR12K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, N Type |
LAN02TAR12K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 120nH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 850mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 500MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.094" Dia x 0.142" L (2.40mm x 3.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAN02TAR12K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAN02TAR12K-FT |
LAL04TB391K
Taiyo Yuden
LAL04TB3R3K
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XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel