casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LAN02KR120J
Número de pieza del fabricante | LAN02KR120J |
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Número de parte futuro | FT-LAN02KR120J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, N Type |
LAN02KR120J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 12µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 280mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 2.52MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 22MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.52MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.094" Dia x 0.142" L (2.40mm x 3.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAN02KR120J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAN02KR120J-FT |
LAL04NAR47M
Taiyo Yuden
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XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel