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Número de pieza del fabricante | LAL04NAR82M |
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Número de parte futuro | FT-LAL04NAR82M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL04NAR82M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 820nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 980mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 25.2MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 172MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25.2MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04NAR82M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL04NAR82M-FT |
LAL03VB821K
Taiyo Yuden
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel