casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LAL03VB2R2M
Número de pieza del fabricante | LAL03VB2R2M |
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Número de parte futuro | FT-LAL03VB2R2M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03VB2R2M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 230mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 110MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03VB2R2M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL03VB2R2M-FT |
LAL03TA1R2M
Taiyo Yuden
LAL03TA1R5M
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel