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Número de pieza del fabricante | LAL03TA1R8M |
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Número de parte futuro | FT-LAL03TA1R8M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03TA1R8M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 1.8µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 240mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 121MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.96MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TA1R8M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL03TA1R8M-FT |
LAL03KH151K
Taiyo Yuden
LAL03KH180K
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8820ARC208-2
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EP1S40F1020C6
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