casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / LAL03VB221K
Número de pieza del fabricante | LAL03VB221K |
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Número de parte futuro | FT-LAL03VB221K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03VB221K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 220µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 75mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 17 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 796kHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 3MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 796kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03VB221K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | LAL03VB221K-FT |
LAL03TA180K
Taiyo Yuden
LAL03TA181K
Taiyo Yuden
LAL03TA1R0M
Taiyo Yuden
LAL03TA1R2M
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LAL03TA270K
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LAL03TA271K
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel