casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / L1210R1R0MDWIT
Número de pieza del fabricante | L1210R1R0MDWIT |
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Número de parte futuro | FT-L1210R1R0MDWIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | L-DWI |
L1210R1R0MDWIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 2A |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 55 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 250MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1210 (3225 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1210 (3225 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.106" (2.70mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L1210R1R0MDWIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | L1210R1R0MDWIT-FT |
74404024150
Wurth Electronics Inc.
74404024180
Wurth Electronics Inc.
74404024220
Wurth Electronics Inc.
TYS252010L1R0N-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS252010L2R2N-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS252010L4R7M-10
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TYS252010L6R8M-10
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TYS252010LR68N-10
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TYS252012L100M-10
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TYS252012L150M-10
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LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel