casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / TYS252012L150M-10
Número de pieza del fabricante | TYS252012L150M-10 |
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Número de parte futuro | FT-TYS252012L150M-10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TYS252012L |
TYS252012L150M-10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 15µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 420mA |
Corriente - Saturación | 680mA |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.469 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | 25MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TYS252012L150M-10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | TYS252012L150M-10-FT |
LQP02HQ4N2B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ4N2C02E
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LQP02HQ4N2C02L
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel