casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / KBU1010-G
Número de pieza del fabricante | KBU1010-G |
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Número de parte futuro | FT-KBU1010-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBU1010-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, KBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | KBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU1010-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | KBU1010-G-FT |
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
DF1504S-T
Diodes Incorporated
DF01S-T
Diodes Incorporated
DF1506S-T
Diodes Incorporated
DF005S-T
Diodes Incorporated
DF15005S-T
Diodes Incorporated
DF08S-T
Diodes Incorporated
DF04S-T
Diodes Incorporated
DF1504S
Diodes Incorporated
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel