Número de pieza del fabricante | DF08S-T |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DF08S-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF08S-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DF-S |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF08S-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DF08S-T-FT |
GBU810
Diodes Incorporated
GBU601
Diodes Incorporated
GBU604
Diodes Incorporated
GBU401
Diodes Incorporated
GBU402
Diodes Incorporated
GBU408
Diodes Incorporated
GBU606
Diodes Incorporated
GBU808
Diodes Incorporated
GBU10005
Diodes Incorporated
GBU1002
Diodes Incorporated
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel