Número de pieza del fabricante | GBU810 |
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Número de parte futuro | FT-GBU810 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU810 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU810 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU810-FT |
ABS210-13
Diodes Incorporated
UABF1510-13
Diodes Incorporated
ABS10A-13
Diodes Incorporated
RABF1510-13
Diodes Incorporated
RABF210-13
Diodes Incorporated
MB1505
Diodes Incorporated
MB151
Diodes Incorporated
MB151-F
Diodes Incorporated
MB152
Diodes Incorporated
MB152-F
Diodes Incorporated
M1A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
Intel
XC7VX690T-2FF1158I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23C7N
Intel