casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / KBL410-G
Número de pieza del fabricante | KBL410-G |
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Número de parte futuro | FT-KBL410-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBL410-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, KBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | KBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBL410-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | KBL410-G-FT |
GBJ25005-05-G
Comchip Technology
GBJ25005-06-G
Comchip Technology
GBJ25005-G
Comchip Technology
GBJ2501-03-G
Comchip Technology
GBJ2501-04-G
Comchip Technology
GBJ2501-05-G
Comchip Technology
GBJ2501-06-G
Comchip Technology
GBJ2501-G
Comchip Technology
GBJ2502-03-G
Comchip Technology
GBJ2502-04-G
Comchip Technology
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel