casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2501-G
Número de pieza del fabricante | GBJ2501-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ2501-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2501-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2501-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2501-G-FT |
PBPC1007
Diodes Incorporated
PBPC801
Diodes Incorporated
PBPC802
Diodes Incorporated
PBPC803
Diodes Incorporated
PBPC804
Diodes Incorporated
PBPC805
Diodes Incorporated
PBPC806
Diodes Incorporated
PBPC807
Diodes Incorporated
PBPC601
Diodes Incorporated
PBPC602
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M1A3P600-1FGG256
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Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F35C3
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LFX200EB-03F256I
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LCMXO2-2000UHE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132I
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5CGXFC4C6F23C7N
Intel