casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2501-G
Número de pieza del fabricante | GBJ2501-G |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2501-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2501-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2501-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2501-G-FT |
PBPC1007
Diodes Incorporated
PBPC801
Diodes Incorporated
PBPC802
Diodes Incorporated
PBPC803
Diodes Incorporated
PBPC804
Diodes Incorporated
PBPC805
Diodes Incorporated
PBPC806
Diodes Incorporated
PBPC807
Diodes Incorporated
PBPC601
Diodes Incorporated
PBPC602
Diodes Incorporated
LFXP2-8E-6TN144I
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A3P125-2TQG144I
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AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
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LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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EP4SGX360NF45I4
Intel
A42MX16-1TQG176
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EPF10K10AQI208-3
Intel