casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6790U
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6790U |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6790U |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/555 |
JANTXV2N6790U Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Paquete / Caja | 18-CLCC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6790U Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6790U-FT |
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
JAN2N6782
Microsemi Corporation
JAN2N6782U
Microsemi Corporation
JAN2N6784
Microsemi Corporation
JAN2N6784U
Microsemi Corporation
JAN2N6788
Microsemi Corporation
JAN2N6788U
Microsemi Corporation
JAN2N6790
Microsemi Corporation
JAN2N6790U
Microsemi Corporation
JAN2N6796
Microsemi Corporation
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XA3S400A-4FTG256I
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A3P250-1FG256
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel