casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / JANTXV2N6788U
Número de pieza del fabricante | JANTXV2N6788U |
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Número de parte futuro | FT-JANTXV2N6788U |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/555 |
JANTXV2N6788U Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 800mW (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 18-ULCC (9.14x7.49) |
Paquete / Caja | 18-CLCC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6788U Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JANTXV2N6788U-FT |
JAN2N6768T1
Microsemi Corporation
JAN2N6770
Microsemi Corporation
JAN2N6770T1
Microsemi Corporation
JAN2N6782
Microsemi Corporation
JAN2N6782U
Microsemi Corporation
JAN2N6784
Microsemi Corporation
JAN2N6784U
Microsemi Corporation
JAN2N6788
Microsemi Corporation
JAN2N6788U
Microsemi Corporation
JAN2N6790
Microsemi Corporation
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel