casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N6119
Número de pieza del fabricante | JAN1N6119 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N6119 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6119 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | - |
Canales Bidireccionales | 1 |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 27.4V |
Voltaje - Avería (Min) | 32.49V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 52.4V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 9.5A |
Potencia - Pulso pico | 500W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | B, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6119 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N6119-FT |
JAN1N5610
Microsemi Corporation
JAN1N5612
Microsemi Corporation
JAN1N5629A
Microsemi Corporation
JAN1N5632A
Microsemi Corporation
JAN1N5635A
Microsemi Corporation
JAN1N5637A
Microsemi Corporation
JAN1N5639A
Microsemi Corporation
JAN1N5640A
Microsemi Corporation
JAN1N5642A
Microsemi Corporation
JAN1N5644A
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel