casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / JAN1N5612
Número de pieza del fabricante | JAN1N5612 |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5612 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/434 |
JAN1N5612 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 1 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 49V |
Voltaje - Avería (Min) | 54V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 78.5V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 19A |
Potencia - Pulso pico | 1500W (1.5kW) |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | G, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | G, Axial |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5612 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5612-FT |
DLTS19CA
Microsemi Corporation
DLTS24
Microsemi Corporation
DLTS24A
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DLTS30
Microsemi Corporation
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DLTS30C
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DLTS5
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DLTS5A
Microsemi Corporation
DLTS8C
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676C
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XC4VFX100-11FF1517C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FG484
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APA600-FG256
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10M40DAF672C7G
Intel
10AX032H3F35I2SG
Intel
A40MX04-FPQ100
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324I7
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