casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N5809US
Número de pieza del fabricante | JAN1N5809US |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N5809US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5809US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 875mV @ 4A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, B |
Paquete del dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5809US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N5809US-FT |
B150AE-13
Diodes Incorporated
B160AE-13
Diodes Incorporated
B220AE-13
Diodes Incorporated
B230AE-13
Diodes Incorporated
B245AE-13
Diodes Incorporated
B250AE-13
Diodes Incorporated
B260AE-13
Diodes Incorporated
B330AE-13
Diodes Incorporated
B345AE-13
Diodes Incorporated
B350AE-13
Diodes Incorporated
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation