casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / B350AE-13
Número de pieza del fabricante | B350AE-13 |
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Número de parte futuro | FT-B350AE-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B350AE-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 650mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 125pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMA |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B350AE-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | B350AE-13-FT |
CDBMHT140-HF
Comchip Technology
CDBMHT160-HF
Comchip Technology
CDBMT220L-G
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CDBMT230L-G
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CDBMT240L-G
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CDBMTS1150-HF
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CDBMTS1200-HF
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CDBMTS140-HF
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CDBMTS160-HF
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel