casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / JAN1N1615R
Número de pieza del fabricante | JAN1N1615R |
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Número de parte futuro | FT-JAN1N1615R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/162 |
JAN1N1615R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard, Reverse Polarity |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 15A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 15A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AA, DO-4, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AA (DO-4) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N1615R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | JAN1N1615R-FT |
IDC08S120EX1SA3
Infineon Technologies
IDC08S120EX7SA1
Infineon Technologies
IDC08S60CEX1SA2
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IDC08S60CEX1SA3
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IDC08S60CEX7SA1
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IDC40S120C5X7SA1
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IDC50S120C5X7SA1
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IDC75S120C5X7SA1
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IDD04SG60CHUMA1
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IDD06SG60CHUMA1
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A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
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10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
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XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel