casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / IDC08S60CEX1SA2
Número de pieza del fabricante | IDC08S60CEX1SA2 |
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Número de parte futuro | FT-IDC08S60CEX1SA2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDC08S60CEX1SA2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 8A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDC08S60CEX1SA2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IDC08S60CEX1SA2-FT |
GP10M-5400M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-5400M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7007M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-7009M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10ME-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10N-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10NE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10NE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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