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IXTY26P10T Image

IXYS IXTY26P10T

Número de pieza de MFG
IXTY26P10T
Cantidad disponible
13000 Piezas
Precio de referencia
USD 1.8
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Fecha de envío
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fabricante
IXYS
Breve descripción
TrenchP™ MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IXTY26P10T
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchP™
IXTY26P10T Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 26A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Vgs (Max) ±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3820pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTY26P10T Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTY26P10T-FT

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