casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IXTV110N25TS
Número de pieza del fabricante | IXTV110N25TS |
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Número de parte futuro | FT-IXTV110N25TS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IXTV110N25TS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 110A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 694W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PLUS-220SMD |
Paquete / Caja | PLUS-220SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV110N25TS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IXTV110N25TS-FT |
IXFN80N60P3
IXYS
IXFN100N50Q3
IXYS
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LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation