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IXYS IXFN80N60P3

Name: IXFN80N60P3
Brand: IXYS
SKU: IXFN80N60P3
Price: 16.96 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (11 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFN80N60P3

Cantidad disponible: 20110 Piezas

Precio de referencia: USD 16.96

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™, Polar3™ MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFN80N60P3.pdf

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IXFN80N60P3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFN80N60P3
Número de parte futuro	FT-IXFN80N60P3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, Polar3™
IXFN80N60P3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	66A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	13100pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	960W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-227B
Paquete / Caja	SOT-227-4, miniBLOC
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN80N60P3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFN80N60P3-FT

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